"Готовящаяся к запуску установка позволит создавать СВЧ-интегральные схемы по топологическим нормам (это предел размера повторяемого рисунка на микросхеме) величиной до 100 нанометров, тогда как раньше предприятие работало с размерами в 10 раз больше", - сказал Петров.
Уменьшение топологической нормы в чипах предполагает соответствующее уменьшение габаритов и увеличивает выходные мощности конечных изделий. По словам Петрова, участок электронной литографии заработает в декабре, отработка технологии займет около года, а первые работающие тестовые образцы на основе кристаллов арсенида галлия и нитрита галлия планируется получить в конце будущего года.