"Сотрудники лаборатории пленочных технологий и лаборатории электронной микроскопии и обработки изображений Школы естественных наук ДВФУ первыми в мире получили трехслойные пленки состава рутений-кобальт-рутений (Ru/Co/Ru) с толщиной магнитного слоя всего в четыре атомных слоя, то есть меньше одного нанометра", - говорится в сообщении. Достижение подтверждено публикациями в известных журналах.
"В лабораторных условиях мы получили поликристаллические пленки и наноструктуры на основе системы Ru/Co/Ru Создаваемые на основе наших структур элементы памяти будут отличаться более высокой скоростью обработки информации и низким энергопотреблением по сравнению с полупроводниками, а сам процесс производства таких элементов станет проще и дешевле", - сказал заведующий лабораторией пленочных технологий ДВФУ Алексей Огнев.
Как отмечают разработчики, это позволит создать смартфон, который будет работать без подзарядки неделями, и решить задачу по уменьшению энергопотребления центров обработки данных. Материалы найдут применение в устройствах электроники нового типа - энергонезависимой магнитной памяти, высокочувствительных датчиках, биомедицинских сенсорах, системах сверхбыстрой обработки информации и искусственного интеллекта.
