ИА SakhaNews. Президентом Российской академии наук (РАН) избран генеральный директор АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники» академик Геннадий Красников. Об этом сообщает "Коммерсантъ".
Кроме него на пост претендовал директор ФГБУН Институт теплофизики им. С.С.Кутателадзе СО РАН, академик Дмитрий Маркович. Накануне действующий президент академии Александр Сергеев снял свою кандидатуру с выборов из-за «давления».
Накануне выборов Геннадий Красников заявил о риске "безостановочного превращения" РАН в "клуб почетных ученых" и пообещал в случае избрания главой Академии наук возродить ее престиж и значимость.
В 1981 году окончил физико-технический факультет Московского института электронной техники по специальности «автоматика и электроника», заочно обучался в аспирантуре института.
С 1981 по 1991 год работал в НИИ молекулярной электроники и на созданном при нем заводе «Микрон» инженером, ведущим инженером, начальником модуля, начальником цеха, заместителем директора.
С 1991 года — гендиректор ОАО «НИИМЭ и Микрон».
В 1999–2003 годах одновременно возглавлял ОАО «Концерн “Научный центр”» (с 2005 года — «Ситроникс»), в 2005–2012 годах руководил бизнес-направлением «Микроэлектронные решения» в ОАО «Ситроникс».
В 2011–2013 годах возглавлял совет директоров и был генконструктором ОАО «НИИМЭ и Микрон», 1 января 2014 года вернулся на пост гендиректора этой компании.
С 2016 года — генеральный директор АО НИИМЭ (дочерняя структура ПАО «Микрон»).
В 2017 году стал членом президиума РАН.
С ноября 2019 года — академик-секретарь отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН.
С декабря 2021 года — иностранный член Национальной академии наук Беларуси.
Является заведующим кафедрой «Микро- и наноэлектроника» в Московском физико-техническом институте. Возглавляет кафедру «Субмикронная технология СБИС» в Национальном исследовательском университете МФТИ.
Исследования, проведенные под его руководством, касаются развития российских микроэлектронных технологий, в частности, сверхбольших интегральных схем и сложных полупроводниковых структур с управляемыми и стабильными электрофизическими параметрами.
Академик РАН. Доктор технических наук, профессор. Тема диссертации — «Физико-технологические принципы и методы обеспечения качества КМОП БИС массового производства».
Автор и соавтор более 460 научных работ в отечественных и зарубежных рецензируемых изданиях, 8 научных монографий и более 50 авторских свидетельств и патентов. Награжден орденами Почета, «За заслуги перед Отечеством» IV степени, Дружбы, Александра Невского.
